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</p><p>與傳統(tǒng)的二維封裝（如2.5D）不同，3DIC通過芯片/晶圓直接堆疊構(gòu)成單一系統(tǒng)芯片，而非簡單的多芯片封裝組合。</p><p>在3DIC的設(shè)計(jì)過程中，也常面臨一些多物理場挑戰(zhàn)，包括傳熱、電遷移、應(yīng)力和應(yīng)變以及熱膨脹。這些挑戰(zhàn)是由于3DIC的復(fù)雜性和互聯(lián)性而產(chǎn)生的，其中多個芯片相互堆疊，并使用TSV和微突進(jìn)行連接。

然而，在多Dies互聯(lián)配置下，信號完整性（SI）、電源完整性（PI）以及系統(tǒng)級封裝（SiP）的簽核成為確保3DIC封裝性能和可靠性的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。本課題旨在提出一種針對3DIC封裝多Dies互聯(lián)配置下的SIPI簽核方案，針對對3DIC封裝中的多Dies互聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的信號和電源完整性分析，確保在整個設(shè)計(jì)周期內(nèi)對SI和PI性能進(jìn)行持續(xù)優(yōu)化和驗(yàn)證。

ROM技術(shù)的高靈活性和兼容性使得其可以在不同的設(shè)計(jì)階段，覆蓋從模塊級到3DIC中芯片級，更快速地進(jìn)行多場景多條件分析，從而優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，幫助設(shè)計(jì)人員高效完成全芯片或多芯片3DIC的電源完整性可靠性sign-off工作。

關(guān)注方法：1、點(diǎn)擊文章標(biāo)題下方的藍(lán)色文字，然后點(diǎn)擊關(guān)注2、搜索微信號：deanwell3、掃描下方二維碼

注意：基礎(chǔ)版中部分代碼是p文件2023/3/14最近在擠時間升級2023/3/19不再提供p代碼了，全部都是可編輯的m文件2023/4/11 不要在這里購買了，全部代碼挪到視頻課程里面了數(shù)字圖像相關(guān)DIC程序講解視頻教程_培訓(xùn)課程 - 技術(shù)鄰 (jishulink.com)，已經(jīng)在這里購買了的，可以去視頻課程觀看視頻（視頻已全部免費(fèi)觀看）。

講師：王曉東 | Ansys主任應(yīng)用工程師 負(fù)責(zé)RedHawk/RedHawk_SC/RedHawk_SC_Electrothermal等產(chǎn)品的售前和售后技術(shù)支持，專注于Multi-physics，2.5D/3DIC 電源完整性分析，熱分析，以及應(yīng)力分析等聯(lián)合仿真解決方案領(lǐng)域。

上述多物理場流程包括Ansys RedHawk-SC、Ansys Redhawk-SC Electrothermal平臺和Synopsys 3DIC Compiler?3DIC設(shè)計(jì)探索與簽核一體化平臺，可用于實(shí)現(xiàn)分層熱感知時序分析和電壓感知時序分析。這樣的多物理場方法，可幫助客戶加速大型3DIC設(shè)計(jì)的收斂。

以DIC測量方法為例，本人進(jìn)行過100m測距下的長時間觀測實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下，相機(jī)與觀測標(biāo)志的高差在小于50cm，一共觀測了十來天，這是其中一天的數(shù)據(jù)，而且光照強(qiáng)度不是非常大。在一天中，測量對象的漂移是非常大的，會極大的影響測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。在近距離下有熱氣流影響的DIC位移測量試驗(yàn)中，DIC的測量誤差明顯受到熱氣流的影響[3]。3.

面向受眾 高級封裝（3DIC）SoC設(shè)計(jì)工程師，SoC電源設(shè)計(jì)工程師，先進(jìn)工藝layout設(shè)計(jì)工程師。

憑借ROM技術(shù)，工程師可在不犧牲精度的前提下顯著提升熱仿真速度，加速設(shè)計(jì)迭代，為3DIC的高效熱管理提供強(qiáng)大支持，成為行業(yè)熱仿真領(lǐng)域的突破性工具。

2.3 穿孔試驗(yàn)主要測試表征材料的破壞力與破壞位移，一般無需DIC技術(shù)配合測試。測試速度3mm/min，根據(jù)需求選取不同直徑的壓頭測試，選擇合適的預(yù)應(yīng)力，并在壓頭末端處貼特氟龍膠帶，以減小壓頭與試樣的摩擦力。測試結(jié)果曲線如圖19，可以測出材料的最大破壞力與最大力對應(yīng)的破壞位移。*國高材分析測試中心原創(chuàng)內(nèi)容，轉(zhuǎn)載請注明出處。

主要測試表征材料的破壞力與破壞位移，一般無需DIC技術(shù)配合測試。測試速度3mm/min，根據(jù)需求選取不同直徑的壓頭測試，選擇合適的預(yù)應(yīng)力，并在壓頭末端處貼特氟龍膠帶，以減小壓頭與試樣的摩擦力。總之，通過上述各種試驗(yàn)方法，可以全面評估材料在不同環(huán)境條件下的性能特性，為汽車結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和安全性能評估提供有力支持。

材料斷裂極限應(yīng)變目前多采用數(shù)字圖像相關(guān)法（Digital Image Corre?lation,DIC）進(jìn)行測量，其測量精度與試樣設(shè)計(jì)、散斑質(zhì)量、加載及DIC拍攝速率均相關(guān)。在試驗(yàn)過程中，應(yīng)合理匹配加載速度與DIC圖像拍攝幀率，并在DIC結(jié)果后處理時按不同的DIC虛擬網(wǎng)格尺寸輸出試樣關(guān)鍵區(qū)域應(yīng)變測量結(jié)果，為后續(xù)網(wǎng)格尺寸修正提供參考。

作為一個覆蓋從探索到簽核的統(tǒng)一平臺，新思科技 3DIC Compiler 通過自動化能力提升設(shè)計(jì)生產(chǎn)力，支持基于臺積公司 3DFabric 技術(shù)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。新思科技 3DIC Compiler 還與 RedHawk?SC?、RedHawk?SC Electrothermal? 以及 Ansys HFSS? 軟件實(shí)現(xiàn)集成，提供覆蓋熱、功耗及高速信號完整性的多物理場分析能力。

image_process=/format,webp" data-initial-src="https://img.jishulink.com/202602/attachment/a0de30683e6c4c3ca59df3bfe1b05e09.png"> </figure> </figure><p>超大規(guī)模2.5DIC設(shè)計(jì)采用在interposer 中內(nèi)置多晶硅橋梁，在AI、圖形處理等各個領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景

專家將通過案例演示3DIC IR及chip centric散熱分析流程，以幫助后端及熱工程師更好的理解和克服3DIC 多物理場分析的相關(guān)難點(diǎn)和痛點(diǎn)。

為應(yīng)對傳統(tǒng)熱仿真方法在復(fù)雜3DIC結(jié)構(gòu)中計(jì)算量大、耗時長的挑戰(zhàn)，AEDT Icepak的ROM（降階模型）技術(shù)提供了一種快速且高精度的熱仿真解決方案。該技術(shù)通過一維ROM和三維ROM靈活應(yīng)對不同熱管理場景：一維ROM適用于簡化的熱傳導(dǎo)分析，三維ROM則能處理復(fù)雜的熱對流和熱輻射問題。

在先進(jìn)工藝和高級封裝（例如Cowos、InFO，3DIC）的電源完整性分析上具有豐富的工程項(xiàng)目仿真經(jīng)驗(yàn)。 專注為客戶提供Ansys的多物理場Sign-off解決方案，滿足嚴(yán)苛的電源、性能、散熱及可靠性要求，幫助客戶信心百倍地加速設(shè)計(jì)收斂，獲得最佳的PPA權(quán)衡。